grafin tek katmanlı bir grafittir.a birkaç katman grafeninin elektronik özelliklerinde oldukça kristal ve yarı metal olduğu gösterilmiştir. Atomik düzlükte, ikiye doğru ufak, üst üste gelme ve iletim bantları ile ambipolar bulunmuştur. boyutsal grafen tabakanın tek boyutlu bir grafiğe indirgenmesi, tek boyutlu bir grafen baboribbon'a (gnr) indirgenir, grafen genişliği hem kuantum hapsini azaltır hem de kenar etkileri belirginleşir. gnr'ler, 12-14 erimiş aromatik halka sistemi ile gerçekleştirilen tüm gnr'lerde enerji boşluklarıydı ve gnr'lerin genişlikleri ~ 3nm idi.

çok yüksek hareket kabiliyeti, kapı voltaj kontrollü elektron veya delik taşıyıcılar ve ayarlanabilir bant aralığı, gnps'nin nano ölçekli elektron-ics için ideal olabileceğini ve gnrs.gnm'nin büyük ölçekli sentezinde büyük ilgi uyandırdığını ve enerji boşlukları ile nanodevices için faydalı olduğunu göstermektedir. Nanotüplerin üçte birinin metalik olması beklenen swnts'larla karşılaştırıldığında, gnrs'ın bu içsel yarıiletken niteliği, benzer bir prosedür kullanılarak, son zamanlarda nispeten büyük bir ölçekte yüksek performanslı hızlı yarı iletken nanodevices.gnr sentezinin tercih edilmesini önemli ölçüde basitleştirebilir. Swinglerin saflaştırılması ve ayrıştırılması işlemine, işlemin 1 dakika boyunca gazın oluşturulması için 1000 at'de sülfürik asit ve nitrit asid ile ~ 350um ölçekli grafit pullarının interkalasyonuyla yapılan genleşebilir grafitin soyulmasıyla başlanır, sonuçta elde edilen eksfoliye edilmiş malzeme bir 1,2-dikloroetan içinde soniklenir poliol çözeltisi, gnrs'ı dağıtmak ve süspansiyonu ve birkaç katmanlı grafen şeritlerini ve tabakalarını santrifüjlemek.

transpots ölçümü, tüm alt-10nm gnr'lerin yarı iletkenler olduğunu göstermiştir, son zamanlarda, iki makale uzun ömürlü cürufların çözüldüğünü bildirmiştir, dar ve tekdüze gnr'leri üreten ilk madde konsantre silfrik asitte askıda kalan askıları takiben c = c'ye saldıran klasik potasyum permanganat oksidasyonu Gnrs.a kimyasal indirgeme adımı sağlamak için çift bağlar, elektriksel iletkenliği geri yüklemek için gereklidir. ikincisi de mwnts ile başladı, ancak si gofret üzerine yayıldı ve poli ile kaplandı.mwnt gömülü pmma soyulmuş ve kazınmış ar plazmaya maruz bırakıldı alt-10nm genişliğindeki mwnts layer.gnrs bölümünün bir kısmı hazırlanmıştır ve pratik uygulamalar için geniş ölçekli iyi hizalanmış yarı iletken nano-cihazların mümkün olabileceğini düşündürmektedir.